Классификация установок для элек­тронно-лучевой обработки и сварки. Основными областями промышлен­ного применения электронно лучевого оборудования применительно к обра­ботке и сварке являются: 1. Получение отверстий, фрезеро­вание, резка металлов, диэлектриков. сипте;ических материалов малых тол­щин. 2. Получение монтажных соедине­ний в микроэлектронных изделиях. 3. Соединение узлов электронных приборов, корпусов мощных элек­тронных ламп, герметизация изделий микроэлектроники и электроники." 4. Сварка тугоплавких […]

Глава ID Оборудование для лазерной и электронно-лучевой обработки 15.1. Технологические установки Широкое распространение в промыш* ленности получили технологические установки с импульсными лазерами на стекле с неодимом. В лазерных установках импульсного действия универсального типа (пер­вое поколение лазерных технологиче­ских установок) в качестве активного материала использовались только кристаллы рубина. Технические ха­рактеристики установок на рубине приведены в табл. 15.1 […]

В работе [1] установлена экспери­ментальная связь между частотой пульсаций парового потока, истекаю­щего из канала проплавления (часто­той пульсации ионного либо вторично­электронного токов), глубиной про­плавления и степенью фокусировки ЭЛ. При сварке ЭЛ мощностью до 12 кВт сталей толщиной до 30 мм установлена линейная зависимость между частотой пульсаций ионного тока (частотой авто­колебаний) и обобщенным параметром (HocJq) oCD/(?o + […]

Для идентификации стадий нагрева материала ЭЛ необходимо исследовать временную зависимость силы тока, протекающего через образец, при не­изменных основных параметрах элек­тронно-лучевой обработки [10, 14]. Такие зависимости получены при ускоряющем напряжении 1/ус1. = = 20 кв, силе тока луча /л = 0-Ь — i-250 мА и длительности электронно­лучевого воздействия Т= 1 МС-г-5 с для металлов W, Mo, […]

Довольно четкий характер кривой силы тока, проходящего через деталь и коллектор (рис. 14.6), имеющий ме­сто в импульсном режиме, для непре­рывного ЭЛ не сохраняется. Проис­ходит сглаживание кривой, но экстре­мум, соответствующий либо макси­муму, либо минимуму силы тока тер­моэмиссии, сохраняется. При удельной мощности q2 я: д* кривая силы тока /м, протекающего через образец при изменении силы тока фокусировки […]

13.2. Эмиссия электронов из зоны обработки В общем энергетическом балансе электронно-лучевого воздействия по­мимо тепловых потерь необходимо учитывать также потери на электрон­ную эмиссию из зоны обработки (вто­ричные электроны, неупругорассеян — иые, упругоотражештые [5]), световое и рентгеновское излучение. При тем­пературе плавлення и выше для ме­таллов существенной становится тер­моэлектронная эмиссия. Анализ этих потерь [4, 7, 11, 13] показывает, […]

‘ Монтаж микросхем. Электршшс-лу’ чевая сварка проволок с шариком на конце (обычно из золота, меди, никеля, алюминия диаметром 30—100 мкм) и тонкопленочными контактными пло­щадками (из меди, золота, никеля, алюминия, толщина слоя 1 мкм) дает надежные и воспроизводимые (по сравнению, например, с термоком­прессионной и ультразвуковой свар­кой) сварные соединения. Для оценки качества сварки при визуальном контроле соединений […]

13.1. Получение пленок и покрытий электронно­лучевым испарением в вакууме В экспериментах [121 по глубокому сверлению металлов выбрасываемый иэ отверстия конденсат собирали на стеклянные пластины. Было установ­лено, что при испарении материала (алюминий, никель, титан) в режиме сверления (0< 0,1) скорость осажде­ния достигает 1—3 мкм/с. При этом на поверхности пленок не обнаружено капель и брызг испаряемого материала, […]

Экспериментальные исследования теплового воздействия концентриро­ванного потока энергии мощностью 10s—10’ Вт/сма на металлы показали следующее? при постоянном во времени потоке энергии возникают колебания физи­ческих параметров, характеризующих систему луч—вещество: потока пара, интенсивности светового излучения, эмиссии электронов и т. п. из зовы воздействия луча, существует критическое значение по­тока энергии для возбуждения коле­баний: если поток энергии больше критического значеная, […]

Кинетика формирования канала экс­периментально исследована при U = = 20 кВ, I =■= &-=-250 мА в режиме одиночного импульса длительностью 50 мс — 5 с (рис. 12.4). Исследуемый металлический образец диаметром 30 мм и высотой 30 мм устанавливают в рабочей камере на изолятор и через резистор R2 соединяют с землей. В цепь источника включают резистор […]