Поверхности полупроводников, подлежащих низкотемпера­турной пайке, необходимо предварительно облудить с использо­ванием ультразвукового паяльника или нанести гальваническое покрытие (никелирование, золочение). Полупроводники с нане-

I. Составы низкотемпературных при-
поев, применяемых при пайке герма-
ния и кремния

Содержанке Теміера-

(массивея доля), % тура

В!

РЬ

Sr

Cd

ння, °С

50,1

24,9

14,2

10,8

65,5

52,0

40,0

8,0

91,5

56,0

44

125,0

36

64

—*

181,0

сенным покрытием подвергают­ся пайке в печах с контроли­руемой средой (нейтральной, восстановительной) в вакууме или нагревом метолом сопротив­ления на воздухе с использо­ванием защитных или актив­ных флюсов (спиртового раство­ра канифоли, хлористого цинка или аммония). Остатки флюса тщательно удаляются промыв­

2. Припои, и режимы пайки германия и кремния

Паяемые

материалы

Состаи припоя (массовая доля), %

Режим аайзга

Применение,

особенности

процесса

Темпе­

ратура,

°С

Вре­

мя,

мня

Среда

Кремний я-типа

РЬ 63, Sn 35,5, Sb 1,5; Pb 97, Sb 1,5, Ni 1,5

720—730

12—13

Флюс

Кремний

Золото (кон­тактно-реак­тивная пайка)

420

‘—

Интегральные

схемы

Арсенид галлия -|- никель и крем­ний — f — никель

Ga 39,6, Sn 4,4, Си (поро­шок) — 56

100

Нагрев лучом лазера

Кремний КЭФ -(- -(- ковар 29 НК

Стекло С48-1 или «Пирекс»

980

10

Аргон

Пайка в 2 этапа:

1. Стекло с ко — варом,

2. Стекло, ко­вар с. кремни­ем U~ 800— 1000 В

400—450

20—25

Германий + пла­тина

Sn 99; Ш 1

280

5

Водород

3. Составы припоев, режимы пайки полупроводников ПВДХ-1 и ПВЭХ-1 с медью и алюминием

Паяемгай

материал

Состав припоев (массовая доля), %

Режим пайки *

Температура, °С

Время, с

Среда

Медь +

4- ПВДХ-1 или ПВЭХ-1.

В і 54; Sn 42; Sb 4 (однослойное луже­ние)

170

2—3

Флюс № 1

В і 58; Sn 42

300 (лужение) 200 (лужение)

2—5

2—5

Флюс № 2

(Bi 95; Sb 5) + (Bi 58; Sn 42) (двухслойное лужение)

210

2—5

Флюс № 2

Алюминий ~|~ 4- ПВДХ-1 или ПВЭХ-1

(Zn 88,5; А1 7; Си 4; Со 0,5) + (Ві 54;

Sn 42; Sb 4) (двух­слойное лужение)

420 (лужение) 200 (лужение) 210

5

2—5

2—5

Ультразвук Флюс № 1 Флюс № 2

(Bi 95; Sb 5) + (Bi 58; Sn 42) (двухслойное лужение)

300 (лужение) 210

2—5

2—5

2—5

Флюс № 2 Флюс № 1 Флюс № 2

* Давление сжатия соединяемых образцов 0,1 МПа.

Для создания в месте контакта проводимости электронного типа применяют припои с металлической основой (алюминий, индий, олово, свинец) и примесями (фосфор, мышьяк, сурьма и висмут). Для обеспечения невыпрямляющего омического кон­такта в качестве примесей применяют бор и галлий.

При выборе припоя следует учитывать влияние их на электри­ческие параметры паяемых приборов. Составы припоев, исполь­зуемых для низкотемпературной пайки полупроводников, при­ведены в табл. 1.

Припои-пасты на основе галлия также нашли применение для пайки полупроводников. Припои и режимы пайки германия и кремния приведены в табл. 2.

Для высокотемпературной пайки применяют флюсы на основе буры.

Полупроводники на основе халькогенидов сурьмы и висмута в зависимости от способа изготовления, подготовки поверхности обладают различной паяемостью и требуют строгого соблюдения режима пайки. Диффузия припоя в проводник способствует об­разованию соединений, увеличивающих переходное сопротивле­ние термоэлемента, поэтому время пайки должно быть ограни­чено, а отклонение от температуры пайки практически не должно иметь место. Применяются припои, содержащие в своем составе висмут, свинец, олово, кадмий, сурьму, теллур, алюминий, гал­лий, индий, серебро.

Для однослойного и двухслойного лужения полупроводников на основе халькогенидов сурьмы и висмута применяются припои (массовые доли), %: Bi 54, 5п 42, Sb 4 (температура плавления 150 °С), Bi95, Sb5 (температура плавления 280 °С); ВІ 58, Sn 42 (температура плавления 135 °С).

В качестве флюсов (массовые доли, %) применяют: № 1 — хлористый цинк 35, хлористый кобальт І4, хлористый аммоний 16, глицерин 35; № 2 — хлористый аммоний 50, глицерин — 50.

При облуживании полупроводников вручную используют паяльники с никелевым наконечником. Механизированное облу — живание — погружение в расплав припоев и активизация поверх­ности ультразвуком. Составы припоев, режимы пайки полупровод­ников ПВ. ДХ-1 и ПВЭХ-3 с медью и алюминием приведены в табл. 3.